우리 학부 최성율 교수님 연구팀이 수행한 연구가 국제 학술지 'Advanced Electronic Materials' 7월 13일 자 표지 논문(Front Cover)으로 게재되었습니다. 논문 제목은 "Vertical‐Tunneling Field‐Effect Transistor Based on WSe2‐MoS2 Heterostructure with Ion Gel Dielectric"입니다.
연구팀은 이차원 반도체 MoS2-WSe2 이종접합 구조를 형성하고 이온 겔 게이트를 이용하여 36 mV/dec 의 SS 값을 가지는 p 타입 수직형 터널링 트랜지스터를 개발하였습니다. 본 연구에서 개발된 p 타입 터널링 트랜지스터는 다른 n 타입 터널링 트랜지스터와 집적회로로 구현될 수 있으며 컴퓨팅 소자의 전력을 크게 낮출 것으로 기대됩니다. 이를 통해 향후 스마트 센서 네트워크, 자율 주행 자동차 초고속 모바일 컴퓨팅 시스템 등에 활용될 것으로 전망됩니다.

<출처:한국과학기술원 홍보실>